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{{Infobox Analytische Methoden | {{Infobox Analytische Methoden | ||
| Farbraum = analytik | | Farbraum = analytik | ||
<!--Methode--> | <!--Methode--> | ||
| | | Bezeichnung = Electron backscatter diffraction (EBSD) | ||
| | | Messung = Kristallografische Methode zur Analyse geometrischer Eigenschaften von Kristallen (Gitterebenen) <br /> Abbildung von Oberflächentopographie und Materialkontrasten <br /> | ||
Analytik an polierten Flächen: Bestimmung der vollständigen 3D Orientierung von kristallinen Materialien | |||
| | | Materialien = Gestein, Böden, Gläser, Keramik, Baustoffe, Metalle, Kunststoffe, … | ||
| | | Aufwand = Ggf. Dünnschliffpräparation (ggf. mehrere Tage) | ||
| Kosten | Politur (bis zu mehreren Stunden) | ||
| Aufbereitungsarten | | Kosten = Nutzung wird über den Betreuer geregelt | ||
<!--Aufbereitung--> | |||
| Aufbereitungsarten = polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | |||
Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit Salpetersäure. | Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit Salpetersäure. | ||
| | | Aufbereitungsarten_LMU = =polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | ||
| Probenmenge = geringe Probenmenge im mg-Bereich ausreichend. Die maximale Größe wird durch das Volumen der Probenkammer bestimmt und das Korn muss kleiner als die Anregungsbirne des Probenstrahls sein | |||
| | | Aufwand_Probenaufbereitung = Ggf. Dünnschliffpräparation (ggf. mehrere Tage) | ||
| | Politur (bis zu mehreren Stunden) | ||
<!--Messprozedur--> | <!--Messprozedur--> | ||
| Kalibration = {{Ja}} | | Kalibration = {{Ja}} | ||
| Administrator = {{Ja}} | | Administrator = {{Ja}} | ||
| Dienstleistung = {{Ja}} | |||
| | | Selbständig = {{Ja}}, bedingt | ||
|Dauer | | Dauer = abhängig von Zielsetzung und Anwendung | ||
| Ausgabeformat = Bild, Spektrum, Euler Winkel, Polfiguren, Maps, Kikuchi Diagramme… mit einer lateralen Auflösung von 50 nm bis 10 nm | |||
| Ausgabeformat | | Bild1 = Rastergrafik_EBSD_klein.png | ||
| | | Bildbeschreibung1 = Bei der EBSD wird die Probe in einem Winkel von 70° eingespannt und mit einem Elektronenstrahl beschossen. Anschließend können die rückgestrahlten Elektronen mit einem Phosphorschirm aufgefangen und detektiert werden. Dies geschieht in Form von sog. Kikuchi Pattern | ||
}} | |||
Die Elektronenrückstreubeugung (EBSD) ist sowohl eine Analysemethode als auch ein Zusatztool im [[Rasterelektronenmikroskopie (REM)|Rasterelektronenmikroskop (REM)]], wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. | Die Elektronenrückstreubeugung (EBSD) ist sowohl eine Analysemethode als auch ein Zusatztool im [[Rasterelektronenmikroskopie (REM)|Rasterelektronenmikroskop (REM)]], wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. | ||