RegistrierterBenutzer
127
Bearbeitungen
Zeile 9: | Zeile 9: | ||
__TOC__ | __TOC__ | ||
---- | ---- | ||
{| | {| class="wikitable" style="text-align: left;" "width:100%;" | ||
!colspan="2"|Methode | ! colspan="2" |Methode | ||
|- | |- | ||
|style=" width:30%;"|'''Englische Bezeichnung''' | | style=" width:30%;" |'''Englische Bezeichnung''' | ||
| Electron backscatter diffraction (EBSD) | |Electron backscatter diffraction (EBSD) | ||
|- | |- | ||
| '''Was kann gemessen werden? ''' | |'''Was kann gemessen werden? ''' | ||
|Kristallografische Methode zur Analyse geometrischer Eigenschaften von Kristallen (Gitterebenen) | |Kristallografische Methode zur Analyse geometrischer Eigenschaften von Kristallen (Gitterebenen) | ||
Abbildung von Oberflächentopographie und Materialkontrasten | Abbildung von Oberflächentopographie und Materialkontrasten | ||
Zeile 24: | Zeile 24: | ||
|- | |- | ||
| '''Welche Materialien können gemessen werden?''' | |'''Welche Materialien können gemessen werden?''' | ||
|Korn-/Texturanalysen und Orientierungsanalysen aller kristallinen Festkörper. | |Korn-/Texturanalysen und Orientierungsanalysen aller kristallinen Festkörper. | ||
Größe beschränkt auf Dimensionen der Probenkammer | Größe beschränkt auf Dimensionen der Probenkammer | ||
Zeile 32: | Zeile 32: | ||
|- | |- | ||
| '''Kosten (f. Dienstleistung)''' | |'''Kosten (f. Dienstleistung)''' | ||
|Nutzung wird über den Betreuer geregelt | |Nutzung wird über den Betreuer geregelt | ||
|- | |- | ||
|} | |} | ||
{| | {| class="wikitable" style="text-align:left;" "width:100%;" | ||
!colspan="2"|Aufbereitung | ! colspan="2" |Aufbereitung | ||
|- | |- | ||
|style=" width:30%;"|'''Generell mögliche Aufbereitungsarten?''' | | style=" width:30%;" |'''Generell mögliche Aufbereitungsarten?''' | ||
|i.d.R. jegliche Proben messbar (feste Materialien, Dünnschliffe) | |i.d.R. jegliche Proben messbar (feste Materialien, Dünnschliffe) | ||
Probe muss trocken sein | Probe muss trocken sein | ||
|- | |- | ||
| '''Aufbereitungsarten (an LMU)?''' | |'''Aufbereitungsarten (an LMU)?''' | ||
|polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | |polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | ||
Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit HNO3 | Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit HNO3 | ||
|- | |- | ||
| '''Erforderliche Probenmenge''' | |'''Erforderliche Probenmenge''' | ||
|geringe Probenmenge im mg-Bereich ausreichend. | |geringe Probenmenge im mg-Bereich ausreichend. | ||
Die maximale Größe wird durch das Volumen der Probenkammer bestimmt. | Die maximale Größe wird durch das Volumen der Probenkammer bestimmt. | ||
Zeile 56: | Zeile 56: | ||
|- | |- | ||
| '''Zeitl. Aufwand Probenaufbereitung (inkl. Reinigung)''' | |'''Zeitl. Aufwand Probenaufbereitung (inkl. Reinigung)''' | ||
|Ggf. Dünnschliffpräparation (mehrere Tage) | |Ggf. Dünnschliffpräparation (mehrere Tage) | ||
Politur (mehrere Stunden) | Politur (mehrere Stunden) | ||
Zeile 62: | Zeile 62: | ||
|} | |} | ||
{| | {| class="wikitable" style="text-align: left;" "width:100%;" | ||
!colspan="2"|Messprozedur | ! colspan="2" |Messprozedur | ||
|- | |- | ||
|style=" width:30%;"|'''Kalibration notwendig''' | | style=" width:30%;" |'''Kalibration notwendig''' | ||
| Nein (ggf. für Analytik) | |Nein (ggf. für Analytik) | ||
|- | |- | ||
| '''Administrator notwendig''' | |'''Administrator notwendig''' | ||
|Ja | |Ja | ||
|- | |- | ||
| '''Messung = Dienstleistung''' | |'''Messung = Dienstleistung''' | ||
|Ja | |Ja | ||
|- | |- | ||
| '''Messung selbständig möglich (nach Einweisung)''' | |'''Messung selbständig möglich (nach Einweisung)''' | ||
|Ja | |Ja | ||
|- | |- | ||
| '''Dauer der Messung pro Probe''' | |'''Dauer der Messung pro Probe''' | ||
|Abhängig von Zielsetzung und Anwendung. | |Abhängig von Zielsetzung und Anwendung. | ||
|- | |- | ||
| '''Ausgabeformat''' | |'''Ausgabeformat''' | ||
|Bild, Spektrum, Euler Winkel, Polfiguren, Maps, Kikuchi Diagramme… | |Bild, Spektrum, Euler Winkel, Polfiguren, Maps, Kikuchi Diagramme… | ||
|- | |- | ||
|} | |} | ||
=== Grundprinzip === | ===Grundprinzip=== | ||
'''EBSD''' | '''EBSD''' | ||
<div class="blocksatz""> Die "Electron backscattered diffraction" (dt. Elektronenrückstreuung) ist eine Analysemethode und ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. Mit einer CCD Kamera können Bilder aufgenommen werden. | <div class="blocksatz""> Die "Electron backscattered diffraction" (dt. Elektronenrückstreuung) ist eine Analysemethode und ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. Mit einer CCD Kamera können Bilder aufgenommen werden. | ||
Zeile 125: | Zeile 125: | ||
</ul> | </ul> | ||
=== Einsatzbereiche === | ===Einsatzbereiche=== | ||
<ul> | <ul> | ||
<li>komplexe Werkstoffuntersuchungen | <li>komplexe Werkstoffuntersuchungen | ||
<li>Untersuchung von Vollmaterial mit einer räumlichen Auflösung von bis zu 50 nm. | <li>Untersuchung von Vollmaterial mit einer räumlichen Auflösung von bis zu 50 nm. | ||
</ul> | </ul> | ||
=== Vorteile === | ===Vorteile=== | ||
<ul> | <ul> | ||
<li> hohe Auflösung | <li> hohe Auflösung | ||
<li> Probe muss nicht elektrisch leitfähig sein | <li> Probe muss nicht elektrisch leitfähig sein | ||
</ul> | </ul> | ||
=== Nachteile === | ===Nachteile=== | ||
<ul> | <ul> | ||
<li> Informationsverlust durch Projektion der Kristallverschiebung auf den Phosphorschirm | <li> Informationsverlust durch Projektion der Kristallverschiebung auf den Phosphorschirm | ||
Zeile 141: | Zeile 141: | ||
<li> Präparation einer planaren Oberfläche ohne plastische Verformung sehr aufwendig und schwer | <li> Präparation einer planaren Oberfläche ohne plastische Verformung sehr aufwendig und schwer | ||
</ul> | </ul> | ||
=== Lehrveranstaltungen === | ===Lehrveranstaltungen=== | ||
Quantitative Microfabric Analysis | [[Quantitative Microfabric Analysis]] | ||
=== Ausstattung an der LMU === | ===Ausstattung an der LMU=== | ||
http://trepmann.userweb.mwn.de/SEM.html | http://trepmann.userweb.mwn.de/SEM.html | ||
=== Literatur === | ===Literatur=== | ||
A., Bastos da Silva Fanta (2008): Characterization of the microstructure, grain boundaries and texture of nanostructured electrodeposited CoNi by use of Electron Backscatter Diffraction (EBSD). - Göttingen (Springer). | A., Bastos da Silva Fanta (2008): Characterization of the microstructure, grain boundaries and texture of nanostructured electrodeposited CoNi by use of Electron Backscatter Diffraction (EBSD). - Göttingen (Springer). | ||