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{{DISPLAYTITLE:Elektronenrückstreubeugung (EBSD)}} | {{DISPLAYTITLE:Elektronenrückstreubeugung (EBSD)}} | ||
EBSD | {{Infobox Analytische Methoden | ||
| Farbraum = analytik | |||
<!--Methode--> | |||
|Englische Bezeichnung = Electron backscatter diffraction (EBSD) | |||
|Materialien = Kristallografische Methode zur Analyse geometrischer Eigenschaften von Kristallen (Gitterebenen) | |||
Abbildung von Oberflächentopographie und Materialkontrasten | |||
Analytik an polierten Flächen: Bestimmung der vollständigen 3D Orientierung von kristallinen Materialien | |||
|Messung =Korn-/Texturanalysen und Orientierungsanalysen aller kristallinen Festkörper. | |||
<Größe beschränkt auf Dimensionen der Probenkammer | |||
|Auflösung =laterale Auflösung von 50 nm bis 10 nm | |||
|Kosten (f. Dienstleistung) =Nutzung wird über den Betreuer geregelt | |||
| | <!--Aufbereitung--> | ||
|Aufbereitungsarten =i.d.R. jegliche Proben messbar (feste Materialien, Dünnschliffe),Probe muss trocken sein | |||
|Aufbereitungsarten (an LMU)? =polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | |||
Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit HNO3=polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | |||
|Erforderliche Probenmenge =geringe Probenmenge im mg-Bereich ausreichend. Die maximale Größe wird durch das Volumen der Probenkammer bestimmt und das Korn muss kleiner als die Anregungsbirne des Probenstrahls sein. | |||
|Zeitl. Aufwand Probenaufbereitung (inkl. Reinigung) = Ggf. Dünnschliffpräparation über mehrere Tage und Politur (mehrere Stunden) | |||
<!--Messprozedur--> | |||
|Kalibration = {{Ja}} | |||
| | |Administrator = {{Ja}} | ||
| | |Messung = Dienstleistung = {{Ja}} | ||
| | |Messung selbständig möglich (nach Einweisung) = {{Ja}} | ||
|Dauer der Messung pro Probe = abhängig von Zielsetzung und Anwendung | |||
=Abhängig von Zielsetzung und Anwendung. | |||
|Ausgabeformat | |||
=Bild, Spektrum, Euler Winkel, Polfiguren, Maps, Kikuchi Diagramme… | |||
| | }} | ||
EBSD ist sowohl eine Analysemethode als auch ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. | |||
{{Autor|1= T. Mond}} | |||
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__TOC__ | |||
=== Grundprinzip === | |||
===Grundprinzip=== | |||
'''EBSD''' | '''EBSD''' | ||
<div class="blocksatz""> Die "Electron backscattered diffraction" (dt. Elektronenrückstreuung) ist eine Analysemethode und ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. Mit einer CCD Kamera können Bilder aufgenommen werden. | <div class="blocksatz""> Die "Electron backscattered diffraction" (dt. Elektronenrückstreuung) ist eine Analysemethode und ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. Mit einer CCD Kamera können Bilder aufgenommen werden. |