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<!--Methode--> | <!--Methode--> | ||
| Englische Bezeichnung = Electron backscatter diffraction (EBSD) | | Englische Bezeichnung = Electron backscatter diffraction (EBSD) | ||
| Materialien | | Materialien = Korn-/Texturanalysen und Orientierungsanalysen aller kristallinen Festkörper. | ||
Größe beschränkt auf Dimensionen der Probenkammer | |||
| Messung =Dienstleistung = {{Ja}} | |||
| Auflösung =laterale Auflösung von 50 nm bis 10 nm | | Auflösung =laterale Auflösung von 50 nm bis 10 nm | ||
| Kosten (f. Dienstleistung) =Nutzung wird über den Betreuer geregelt | | Kosten (f. Dienstleistung) =Nutzung wird über den Betreuer geregelt | ||
<!--Aufbereitung--> | <!--Aufbereitung--> | ||
| Aufbereitungsarten = | | Aufbereitungsarten =polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | ||
Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit Salpetersäure. | |||
| Aufbereitungsarten (an LMU)?=polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | | Aufbereitungsarten (an LMU)?=polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | ||
Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit HNO3=polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | Polieren: chemisch-mechanisch, elektrochemisch, chemisches Ätzen mit HNO3=polierte, nicht-abgedeckte Dünnschliffe | ||
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| Administrator = {{Ja}} | | Administrator = {{Ja}} | ||
| Messung selbständig möglich(nach Einweisung) = {{Ja}} | | Messung selbständig möglich(nach Einweisung) = {{Ja}} | ||
|Dauer der Messung pro Probe = abhängig von Zielsetzung und Anwendung = Abhängig von Zielsetzung und Anwendung. | |Dauer der Messung pro Probe = abhängig von Zielsetzung und Anwendung = Abhängig von Zielsetzung und Anwendung. | ||
| Ausgabeformat =Bild, Spektrum, Euler Winkel, Polfiguren, Maps, Kikuchi Diagramme… | | Ausgabeformat =Bild, Spektrum, Euler Winkel, Polfiguren, Maps, Kikuchi Diagramme… | ||
}} | |Bezeichnung=Electron backscatter diffraction (EBSD)|Messsung=Kristallografische Methode zur Analyse geometrischer Eigenschaften von Kristallen (Gitterebenen) < Abbildung von Oberflächentopographie und Materialkontrasten < Analytik an polierten Flächen: Bestimmung der vollständigen 3D Orientierung von kristallinen Materialien|Aufwand=Ggf. Dünnschliffpräparation (ggf. mehrere Tage) | ||
Politur (bis zu mehreren Stunden)|Kosten=|Probenmenge=wenige Milligramm ausreichend|Dienstleistung={{Ja}}|Dauer=|Bild1=|Bild2=|Bildbeschreibung1=|Bildbeschreibung2=|Chart=|Chartlink=}} | |||
EBBSD ist sowohl eine Analysemethode als auch ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. | EBBSD ist sowohl eine Analysemethode als auch ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. | ||
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__TOC__ | __TOC__ | ||
=== Grundprinzip === | ===Grundprinzip=== | ||
'''EBSD''' | '''EBSD''' | ||
<div class="blocksatz""> Die "Electron backscattered diffraction" (dt. Elektronenrückstreuung) ist eine Analysemethode und ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. Mit einer CCD Kamera können Bilder aufgenommen werden. | <div class="blocksatz""> Die "Electron backscattered diffraction" (dt. Elektronenrückstreuung) ist eine Analysemethode und ein Zusatztool im Rasterelektronenmikroskop, wobei die geometrischen Eigenschaften der Kristalle (Gitterebenen) auf einem Phosphorschirm als Bänderspektrum projiziert werden. Mit einer CCD Kamera können Bilder aufgenommen werden. |